Нанотехнологии: достижения и перспективы

Нанотехнологии в электронике
(УДК 621.38 ББК 32.85)

Развитие современной электроники идёт по пути уменьшения размеров устройств. С другой стороны, классические методы производства подходят к своему естественному экономическому и технологическому барьеру, когда размер устройства уменьшается не намного, зато экономические затраты возрастают экспоненциально. Нанотехнология — следующий логический шаг развития электроники и других наукоёмких производств.

Описание

Герасименко, Николай Николаевич. Кремний - материал наноэлектроники : учеб. пособие для вузов / Н. Герасименко, Ю. Пархоменко. - Москва : Техносфера, 2007. - (Мир материалов и технологий).

Монография посвящена рассмотрению проблем и возможностей использования кремния для создания приборов и устройств наноэлектроники и нанофотоники. Даны представления о квантоворазмерных эффектах, возможности их проявления в кремниевых элементах и структурах, а также физических ограничениях. Рассмотрены наиболее перспективные технологические возможности формирования наноразмерных кремниевых структур.

Драгунов, Валерий Павлович. Основы наноэлектроники : учебное пособие я техника" / В. П. Драгунов, И. Г. Неизвестный, В. А. Гридчин. - Москва : Логос, 2006. - (Новая университетская библиотека).

Излагаются основные вопросы физики систем пониженной размерности, рассматриваются особенности энергетического спектра и переноса частиц в многослойных структурах с резкими потенциальными границами. Освещаются вопросы энергетического спектра низкоразмерных систем с цилиндрической и сферической симметрией, вопросы влияния электрического поля на энергетический спектр квантовых точек и транспорт частиц в двухбарьерных структурах, дробного квантового эффекта Холла и особенностей поведения электронов в квазидвумерных системах.

Неволин, Владимир Кириллович. Зондовые нанотехнологии в электронике : учеб. пособие для вузов/ В. Неволин. - Изд. 2-е. - Москва : Техносфера, 2006. - (Мир электроники).

В монографии изложены физические основы зондовой нанотехнологии на базе сканирующих туннельных и атомно-силовых микроскопов, показаны основные достижения, обсуждаются проблемы, требующие решения.

Мартинес-Дуарт Дж. М. Нанотехнологии для микро- и оптоэлектроники / Дж. М. Мартинес-Дуарт, Р. Дж. Мартин-Палма, Ф. Агулло-Руеда ; пер. с англ. А. В. Хачояна, под ред. Е. Б. Якимова. - Москва : Техносфера, 2007.

В настоящее время издается много книг по новейшим разделам нанонауки, но почти отсутствуют учебники и пособия для студентов-старшекурсников и аспирантов, связанных с нанонаукой. Предлагаемая книга восполняет этот пробел, так как представляет собой ценное учебное и справочное пособие для студентов, специализирующихся в физике, материаловедении и некоторых других технических дисциплинах. Кроме того, книга может представить интерес для ученых и инженеров-практиков, желающих глубже понять принципы нанонауки и нанотехнологии.

Щука, Александр Александрович. Наноэлектроника : учебное пособие для студентов высших учебных заведений / А. А. Щука. - Москва : Физматкнига, 2007. - (Электроника / МФТИ).

Учебное пособие содержит лекционный материал по пяти дисциплинам направления подготовки "Нанотехнология в электронике": физико-химия наноструктурных материалов, материалы и методы нанотехнологий, методы диагностики и анализа микро- и наносистем, элементы и приборы наноэлектроники, квантовая и оптическая электроника.

Нанотехнологии в электронике : [монография / Н.И. Боргардт и др.] ; под ред. Ю.А. Чаплыгина. - Юбил. изд. - М. : Техносфера, 2005.

В коллективной монографии представлен комплекс исследований, который позволяет уже сейчас применять их результаты в актуальных прикладных разработках. Практическое применение принципов нанотехнологии демонстрируется на примерах создания оптических волокон с фотонно-кристаллической структурой, интегральных волноводов на основе субмикронных брэгговских решеток, нелинейно-оптических устройств преобразования частоты оптического излучения, формирования наноразмерных структур на основе высокотемпературных сверхпроводников, реализации датчиков магнитного поля и ИК-излучения, линейных измерений в нанометровом диапазоне.

Авдулов А. Н. Программа подготовки кадров для наноэлектроники : сводный реферат / А. Н. Авдулов // Социальные и гуманитарные науки. Отечественная и зарубежная литература. Сер. 8. Науковедение: РЖ / РАН. ИНИОН. Центр научно-информационных исследований по науке, образованию и технологиям. - 2009. - № 1. - С. 127-129

В штате Техас (США) по инициативе нескольких организаций, связанных с микроэлектроникой, поддержанной администрацией штата, с 2008 г. организована программа подготовки специалистов для работы в области наноэлектроники.

Афонин С. М. Гармоническая линеаризация гистерезисных характеристик пьезоактюатора нано- и микроперемещений / С. М. Афонин ; Московский государственный институт электронной техники // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - № 3. - С. 49-54

Исследованы гистерезисные характеристики деформации пъезоактюатора для нано- и микроперемещений, приведены экспериментальные и теоретические гистерезисные характеристики с основными и частными циклами. Получены коэффициенты гармонической линеаризации гистерезисной характеристики пъезоактюатора.

Красников Г. Я. Наноэлектроника: состояние, проблемы и перспективы развития / Г. Я. Красников, Н. А. Зайцев // Нано-и микросистемная техника. - 2009. - № 1. - С. 2-5

Приведены главные проблемы современной наноэлектроники и указаны пути их решения. Даны основные понятия наноматериалов и приборов наноэлектроники.

Мустафаев Г. А. Разработка процесса формирования глубокой изоляции структур кремний на изоляторе / Г. А. Мустафаев, А. Г. Мустафаев // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - № 1. - С. 30-32

Рассмотрены вопросы глубокого анизотропного травления структур кремний на изоляторе. Приведены параметры процесса формирования канавок анизотропным травлением в плазмохимическом реакторе при НЧ смещении на подложку.

Поляков В. В. Метод компенсации паразитной емкости в сканирующей емкостной микроскопии / В. В. Поляков // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - № 9. - С. 6-10

Предложены зондовый датчик специальной конструкции и оригинальный метод компенсации паразитной емкости для 2D-характеризации профилей легирования полупроводниковых структур с помощью методики сканирующей емкостной микроскопии (СЕМ). Разработано соответствующее устройство, реализующее методику СЕМ. Представлены результаты, демонстрирующие преимущества использования метода компенсации в СЕМ и высокое пространственное разрешение методики.

Powering Nanorobots = Как двигать нанороботы // Scientific American. - 2009. - № 5. - С. 60-65 : ил.

Как микроскопические роботы двигаются при помощи каталитических реакций? На примере биологических моторов живых клеток ученые учатся заряжать микро и наноавтоматы каталитическими реакциями.